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从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业POWDEC,开发出了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（SBD），并于2010年11月30日在东京举行了记者发布会。据介绍，该二极管是面向逆变器电路及功率因数校正电路等功率用途的产品，耐压可确保在600V以上。其特点在于，在利用GaN类半导体的情况下，仍可低成本制造。POWDEC认为“原则上有望以相当于LED的低成本制造”.该公司表示，通过使用蓝宝石基板，降低制造成本已有了眉目。目标是2012年之前量产。 包括功率晶体管在内的GaN类功率半导体元件，与现有Si制功率半导体元件相比，是有望大幅减少功率损失的新一代功率半导体的一种。随着电气特性的提高，其制造成本的削减成了开发上的焦点。 为实现GaN类功率半导体元件的成本削减，使用Si基板的方法成了主流。而Si与GaN类半导体的热膨胀系数及晶格常数不同。因此，为了减轻这一差异，一般要在Si基板上层叠称为“缓冲层”的多层膜。然而，“多层膜的制造时间较长，容易导致制造成本上升”（POWDEC）。 另外，在Si基板上制造的GaN类功率半导体元件，以各种电极横向排列的横型构造为主流。如果是二极管的话，阴极和阳极呈横向排列（图1）。但横型GaN类半导体元件存在难以提高电气特性的课题。比如，在施加高逆电压后再施加顺电压使电流流过时，容易发生电流值比初始值降低的“电流崩塌效应”.而且，耐压也很难提高。 (责任编辑：admin) |
