拥有双层洁净室结构的300毫米晶圆二厂计划在2006会计年度内建成（2006年4月至2007年3月），并将于2007年4月投入运营，预计于2007年7月起开始批量出货。 在至2007会计年度末的两年时间内，富士通将为新晶圆厂投入约1200亿日元，使月生产能力达到10,000片晶圆。公司还将在市场需求趋势预测的基础上分阶段追加投资。富士通希望该厂的最大月生产能力能达到25,000片晶圆。 洁净网 300毫米晶圆一厂是在三重工厂建成的第一个300毫米晶圆厂，拥有采用90纳米技术大批量生产300毫米晶圆的生产线，于2005年4月起开始运营，其月生产能力将在2006会计年度达到15,000片晶圆。 富士通能够提供同时实现高速运行和低能耗的先进工艺技术，其晶体管技术、铜线和低介电常数(1)工艺技术极具竞争力，受得了客户的一致好评。另外，富士通还凭借其令一次性成功完全运行(2)成为可能的设计方法(3)而大获成功。富士通正不断地与其全球技术伙伴进行磋商，并预期从2007会计年度开始，需求将大大地超过现在运营的300毫米晶圆一厂的生产能力。 300毫米晶圆二厂将拥有双层洁净室结构，可方便地扩大产能，它的建立将确保富士通能够向其客户稳定地提供先进的逻辑芯片。 300毫米晶圆二厂简介 工艺技术：65纳米和90纳米CMOS逻辑 晶圆直径：300毫米 洁净网 建筑特点：抗震建筑；洁净室面积：24,000平方米（最大产能时） 生产能力：10,000片晶圆/月（2007会计年度投产），最大产能25,000片晶圆/月 计划开业日期：2007年4月 300毫米晶圆一厂简介 工艺技术：90纳米和65纳米CMOS逻辑 晶圆直径：300毫米 建筑特点：抗震建筑；洁净室面积：12,000平方米 生产能力：15,000片晶圆/月（2006会计年度内） 开业日期：2005年4月 三重工厂简介 地点：日本三重县桑名市 雇员：约1,400名雇员（包括分公司） 主要产品：90纳米、130纳米和180纳米技术带上芯片（COT）、专用集成电路 （ASIC）、专用标准产品（ASSP）、单片机（MCU） (责任编辑：admin) |